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APTGT100H60T3G中文资料

  • 大小：266.92KB
  • 厂家：MICROSEMI [Microsemi Corporation]
  • 描述：Full - Bridge Trench + Field Stop IGBT Power Module
  • 标准包装：1
  • 类别：半导体模块
  • 家庭：IGBT
  • 系列：-
  • IGBT 类型：沟道和场截止
  • 配置：全桥反相器
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V
  • Vge, Ic时的最大Vce（开）：1.9V @ 15V，100A
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：150A
  • 电流 - 集电极截止（最大）：250µA
  • Vce 时的输入电容 (Cies)：6.1nF @ 25V
  • 功率 - 最大：340W
  • 输入：标准型
  • NTC 热敏电阻：是
  • 安装类型：底座安装
  • 封装/外壳：SP3
  • 供应商设备封装：SP3

APTGT100H60T3G供应商

更新时间:2023-01-01 16:04:52
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